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td-ScdmA将升级到w-cdmA同样的配置。

曙光通讯集团按照规划将按照td-ScdmA、w-cdmA、cdmA2000等三大3G标准,生产拥有自主知识产权的的3G手机,向全球不同地区出售三种技术标准的曙光牌3G手机。

诺基亚、爱立信、摩托罗拉、NEc、松下和三星等全球主流手机生产厂家也是采用这种模式。

第一代拥有三大3G标准的曙光牌3G手机命名曙光3(t3),第二代3G手机命名为曙光4(t4),第三代3G手机命名曙光4(t4),每代生产蓝色、绿色、粉红色、黑色和白色等五种颜色,供不同性别和年龄的消费者选购,全球统一零售价格4999元或625美元,享受五星客户服务。

乔卜斯如今还在为苹果电脑进军美国电脑销量前5位而努力,苹果公司没有进军手机产业的规划,1999年年报显示,总收入60亿美元,净利润6.01亿美元,每股收益1.57美元。

随着纳斯达克网络科技泡沫破裂,苹果公司未能幸免,股价从3月最高26.04美元,跌到最低18美元,市值从最高100亿美元跌到69亿美元。

苹果公司去年中期分红,实行了1拆3的分红方案,总股本从万多股,变成了万多股;木兰投资公司持有的500万股,变成了1500万股。

苹果公司2000年第一季度财报显示,AtIc持有3456万股苹果股票,占股还是9%,第二大股东;马库拉持有4070.4万股,持股比例从11.4%降到10.6%,在高位套现了307万股,还是第一大股东。

在孙健的暗示下,向冬萍在12月30日,将木兰投资公司持有的1500万股苹果股票,在25美元全部卖出,获利3.78亿美元(成本价2.35美元),这笔投资收益占到木兰投资公司总资产(6.22亿美元)的近61%。

等这轮纳斯达克网络科技股泡沫破裂结束,孙健会建议向冬萍她们购买苹果公司的股票。

苹果公司只是孙健手里的一个备胎,也是一个投资品种,对成为苹果公司第一大股东没有兴趣。

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“孙总,我们拿到了商务部同意出口的批文。”

5月22日上午,在pGcA半导体公司总经理李昌杰和布罗迪陪同下,考察还在建设中的一条500nm制程工艺生产线的孙健,接到余建国从美国打过来的电话。

去年9月,bSEc生产的第一条具有自主知识产权的8英寸晶圆、

500nm制程工艺的半导体生产线在pGcA半导体公司开工建设。

余建国昨天接到美国商务部的电话,同艾德里安一起乘飞机前往华盛顿,已经提前告诉了孙健。

孙健不在美国,书面授权余建国作为GcA董事长和法人的全权代表。

“余总辛苦了,我明天带李昌杰和布罗迪过来,同GcA签订正式购买协定。”

“好的,孙总!”

pENG和GcA董事会3月都已同意,pGcA半导体公司投资20亿美元(包括基建费用)规划建设一条180nm制程工艺的半导体生产线;4月初,投资16亿美元从GcA购买一条180nm制程工艺的半导体生产线的申请已经交给美国商务部,快3个月了,今天才拿到准许出口的批文。

不是美国商务部官员办事拖拉,而是对出口一条180nm制程工艺的半导体生产线给pGcA有些分歧。

自从GcA和尼康公司研发的90nm制程工艺的光刻机先后量产,财大气粗的INtEL、Ibm、tI、Amd和hp近水楼台先得月,先后定购了一条价值25亿美元(包括基建费用)的90nm制程工艺的半导体生产线。

一条180nm制程工艺的半导体生产线从22亿美元(包括基建费用)降到20亿美元,bSEc如今也能量产250nm制程工艺的光刻机,孙健将40台(价值4亿美元)250nm制程工艺光刻机的生产订单交给bSEc。

这条180nm制程工艺的半导体生产线规划安装20台GcA生产的180nm制程工艺的光刻机和bSEc生产的40台250nm制程工艺的光刻机,既能节约成本,光刻效果也不受影响。

bSEc和GcA都是孙健控股的公司,作为两家公司的法人兼董事长,手掌手背都是肉。

去年11月15日,中美两国签订了中国加入世贸组织的双边协定,中国去年的Gdp达到1.19万亿美元,只占美国Gdp的12.1%、日本的24.9%,按照全球经济总量的排名来看,中国位居全球第七,排在意大利之后。

美国的头号对手还是全球经济老二的日本,继续打压日本的半导体产业。

虽然鲲鹏软件集团在全球软件市场占据20%的市场份额,但还没有对美国软件产业造成实际性的威胁,美国商务部也不容许微软公司垄断美国软件市场。

美国曙光投资公司(AtIc)控股的GcA成了同尼康半导体公司并驾齐驱的光刻机龙头企业,研发的90nm制程工艺光刻机已经量产,但在65nm制程工艺上都遇到了无法克服的困难。

尼康光刻机研究院和GcA光刻机研究院采用ArF 193nm光源,研发一年多,毫无进展。

业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm制程工艺,而157nm将成为主流光源技术,但157nm光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。

业界对下一代光刻机的发展提出了两种路线,一是以尼康和佳能等日本光刻机半导体企业,主张开发波长更低的157nm的F2准分子激光做为光源;二是GcA和英特尔发起建立了EUV LLc联盟,采用极紫外光源(EUV)来提供波长更短的光源。

EUV LLc联盟中除了GcA、英特尔和牵头的美国能源部以外,还有摩托罗拉、Amd、Ibm,以及能源部下属三大国家实验室:劳伦斯利弗莫尔国家实验室、桑迪亚国家实验室和劳伦斯伯克利实验室。

GcA光刻机半导体研究院院长兼任光刻机光源研究所所长汤普森院士从1993年7月开始研发EUV,GcA前后投资了1.5亿美元,也没有取得成功,1997年7月自动放弃了研究。

1997年10月,汤普森院士出面邀请英特尔和美国能源部共同开发EUV。

前世,英特尔邀请尼康和ASmL加入EUV LLc联盟,但美国政府反对尼康加入,ASmL做出多重承诺后才得到这个千载难遇的机会,资金到位,技术入场,人才云集,EUV LLc联盟也花了近20年的时间,第一台可量产的ASmL EUV样机才正式发布。

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